ChangXin Memory: 2,5 mld USD na R&D
W Szanghaju doszło do ogłoszenia sukcesów firmy ChangXin Memory Technologies (CXMT). Prezes pochwalił się m.in. tym, że na badania i rozwój (R&D) wydano już ponad 2,5 mld USD. Efektem była pierwsza w pełni chińska pamięć LPDDR4 DRAM 8 Gb (w sprzedaży pojawi się w III kw. 2019; z taśmy produkcyjnej schodzić będzie 20 tys. sztuk miesięcznie).
Spółka CXMT współpracuje choćby z dostawcami maszyn niezbędnych do produkcji półprzewodników. Mowa o firmach takich jak: ASML, KLA-Tencor, Lam Research, Tokyo Electron i Applied Materials.
Wytwarzanie w litografii 17 nm jest planowane na rok 2021. Wcześniej firma CXMT była znana jako Innotron Technology, Hefei ChangXin i Hefei RuiLi.
Źródło: DigiTimes
