Debiutuje pamięć Micron UFS 4.0 dla flagowych smartfonów nowej generacji

Micron prezentuje swoje najnowsze moduły UFS. (Źródło: Micron)

Micron wprowadził na rynek pamięci do urządzeń mobilnych nową pamięć flash ze zaktualizowanym standardem UFS 4.0. Producent OEM zapewnia, że może podwoić prędkości związane z jego poprzednikiem, zużywając przy tym do 25% mniej energii. Jego "zaawansowana" pamięć 3D NAND ma pomóc w tworzeniu smartfonów nowej generacji o pojemności do 1 TB.

Deirdre O'Donnell, Published 25/06/2023 🇺🇸 🇫🇷 ...

Business Launch Smartphone Storage Tablet

Micron jawnie prezentuje swoje najnowsze moduły flash w następcach urządzeń takich jak OnePlus 11, Xiaomi 13 Ultra i Motorola Edge Plus 2023ponieważ są one zgodne ze zaktualizowaną wersją UFS 4.0 dla swojej kategorii. Ta "kolejna wielka rzecz w mobilnej pamięci masowej" obejmuje najnowszą technologię OEM gotową do wprowadzenia na rynek w celu uzyskania specyfikacji, które mogą zdmuchnąć poprzednią generację.

Przejście na UFS 4.0 towarzyszy wykorzystanie 232-warstwowych 3D NAND, w porównaniu do 176 warstw w Micron UFS 3.1 flash. Ulepszenie jest wspierane do 2 razy szybciej niż jego poprzednik, z sekwencyjnymi prędkościami zapisu i odczytu do odpowiednio 4000 megabajtów na sekundę (MB/s) i 4300 MB/s.

W związku z tym producent OEM zapewnia, że jego pamięć UFS 4.0 "zapewnia najlepszą w swojej klasie wydajność" - o ile następna generacja smartfonów z najwyższej półki ją przyjmie. Te jednodniowe flagowce mogą mieć do 1 TB tej "wiodącej w swojej klasie" pamięci flash w niedalekiej przyszłości.

Kup Crucial P3 Plus 1TB PCIe Gen4 3D NAND NVMe M.2 SSD na Amazon