Litografia 2,5 nm w laboratorium
Naukowcy z MIT i University of Colorado opracowali metodę na usprawnienie dobrze znanych technik (atomic layer deposition i atomic layer etching) stosownych przy produkcji układów scalonych. Mowa o tranzystorze 3D, który wytworzono w litografii 2,5 nm (realnie na sprawę patrząc, 3 nm, jak na załączonym obrazku).
W przeciwieństwie do wcześniej opracowanych zaawansowanych technik ta przytoczona wyżej ma szansę na szybką adaptację w przemyśle (wykorzystuje istniejące maszyny i materiały [InGaAs]).
Źródło: [H]ardOCP
