MRAM: rekord zapisu danych
Na Uniwersytecie Tohoku w Japonii (miasto Sendai, prefektura Miyagi) opracowano pamięć MRAM 128 Mb (1,2 V), która na zapis danych potrzebuje 14 nanosekund (dobry wynik jak na pojemność powyżej 100 Mb).
O ile pamięć MRAM (mały pobór mocy; dane są zachowywane przy braku zasilania) wyjdzie z fazy testów, ma szansę zastąpić SRAM i eDRAM. W pierwszej kolejności może być to MRAM z zakładów firmy Intel wytwarzana w litografii 14 nm (zapewne bliżej pojemności między 8 Mb a 40 Mb).
Pierwsze produkty wykorzystujące pamięć MRAM są spodziewane w 2019 roku.
Źródło: [H]ardOCP
