Micron: 3D NAND 128 warstw za rogiem
Pamięć 3D NAND w firmie Micron doczekała się 4. generacji, czyli złożonej ze 128 warstw (mówi o zaawansowaniu technicznym). Do produkcji seryjnej wejdzie już w 2020 roku. Przy tej okazji zmieniono proces technologiczny na nowy, opracowany samodzielnie (chodzi o tzw. replacement gate z użyciem CMOS; wcześniej korzystano z rozwiązań technicznych współdzielonych z firmą Intel).
Wprowadzenie na linię produkcyjną procesu RG (replacement gate) ma przynieść odczuwalne oszczędności począwszy od września 2020.
Źródło: AnandTech
