Micron: DDR4 i LPDDR4X 16 Gb z użyciem 1Z nm
Amerykańska firma Micron rozkręciła produkcję seryjną pamięci DRAM w technologii 1Z nm (litografia klasy 10 nm, 3. generacja procesu wytwarzania). Z linii tej będą uzyskiwane moduły DDR4 i LPDDR4X o pojemności 16 Gb (kilka takich czipów trafia na jedną płytkę PCB pamięci DRAM).
Pamięć wytworzona w procesie 1Z nm na tle tej z linii 1Y nm (proces 2. generacji) cechuje m.in. mniejszy pobór mocy (o 40% mniej przy zestawieniu z dwiema kośćmi DDR4 DRAM 8 Gb; LPDDR4X jest o ok. 10% oszczędniejsza) przy wyższych osiągach (LPDDR4X 16 Gb ma przepustowość 4266 MT/s).
Tytułowe pamięci wytwarzane są w Japonii (Hiroszima) a za jakiś czas możliwe, że będą także produkowane na Tajwanie (zakład należący wcześniej do Rexchip Semiconductor).
Źródło: AnandTech
