Neo Semiconductor wprowadza 3D X-DRAM, pierwsze na świecie chipy 3D NAND-like RAM o pojemności 128 Gb
Amerykański producent 3D NAND flash, Neo Semiconductor, wprowadza na rynek swoje układy pamięci 3D X-DRAM, które podobno są pierwszymi na świecie 3D NAND-dRAM o znacznie zwiększonej pojemności w stosunku do obecnych rozwiązań 2D DRAM. Pierwsza iteracja technologii 3D X-DRAM może osiągnąć gęstość 128 Gb przy 230 warstwach na chip, 8x więcej niż obecne chipy 2D DRAM. Firma Neo Semiconductor uważa, że to rozwiązanie może być łatwiejsze do skalowania i jest tańsze w realizacji w porównaniu do innych alternatywnych rozwiązań 3D DRAM, co czyni je solidnym kandydatem do zastąpienia 2D DRAM w najbliższej przyszłości.
Zaletą technologii 3D X-DRAM jest zastosowanie innowacyjnej konstrukcji Floating Body Cell (FBC), która przechowuje dane jako ładunki elektryczne przy użyciu jednego tranzystora i zerowej ilości kondensatorów. W przeciwieństwie do innych alternatywnych rozwiązań 3D DRAM, które próbują wymyślić bardziej skomplikowane nowe projekty, 3D X-DRAM wykorzystuje dzisiejsze dojrzałe procesy 3D NAND, dzięki czemu wymaga tylko jednej maski do zdefiniowania otworów linii bitów i uformowania struktury komórek wewnątrz otworów. Takie podejście może znacznie uprościć produkcję, wdrożenie i przejście z 2D DRAM.
Firma Neo Semiconductor opublikowała już wszystkie odpowiednie wnioski patentowe w USPAP 6 kwietnia tego roku. Firma jest zdeterminowana, aby przeforsować w branży wprowadzenie pamięci 3D X-DRAM, jako niezbędnego rozwiązania dla rosnącego zapotrzebowania na pamięć o wysokiej wydajności i pojemności, spowodowanego szybkim rozwojem AI. Według szacunków Neo Semiconductor, pojemność pamięci może zostać podwojona do 256 Gb do 2025 roku, natomiast pojemność 1 Tb może być oferowana w ciągu dekady. Więcej informacji zostanie ujawnionych na konferencji Flash Memory Summit 9 sierpnia 2023 roku.
Źródło(-a)
przez DigiTimes
