Nowa plotka głosi, że Samsung i Apple chcą przejąć firmę Intel

Na początku tego miesiąca poinformowano, że Qualcomm chce przejąć Intela po jego słabych wynikach. Podobno stracił na wielomiliardowym kontrakt od PlayStation. Słabe wyniki Arrow Lake i anulowane architektury mogły pogorszyć sytuację producenta chipów. Teraz, Moore's Law is Deadpowołując się na źródła branżowe, twierdzi, że inni wyrazili zainteresowanie Intelem.

Dwie firmy, które rzekomo chcą przejąć lub połączyć się z Intelem to Apple i Samsung. Tom spekuluje, że obie firmy chcą przejąć firmę Intel ze względu na jej działalność odlewniczą. Ma to sens, ponieważ zmniejszyłoby to zależność Apple od TSMC w zakresie wysokiej klasy chipów. Ponadto byłyby one produkowane lokalnie w USA. Nie będzie to jednak możliwe, jeśli Intel zdecyduje się przekształcić Intel Foundry w oddzielną firmę https://www.theverge.com/2024/9/16/24246599/intel-foundry-independent-spinoff.

Podobnie, Samsung mógłby wykorzystać IP Intel Foundry do wzmocnienia własnych możliwości produkcyjnych. Ostatnie węzły Samsung Foundry nie radzą sobie zbyt dobrze, a ostatnie raporty mówią o wydajność na poziomie 20% w procesie 3GAP. Chociaż liczba ta mogła ulec poprawie od tego czasu, nie jest ona jeszcze opłacalna komercyjnie, o czym świadczy opóźnienie (lub prawdopodobne anulowanie) modelu Exynos 2500.

Jak zawsze, są to plotki i należy je traktować jako takie, dopóki nie zostanie udowodnione inaczej. Poza tym, Intel niedawno połączył siły z AMD aby utworzyć x86 EAG. Dodatkowo, firma otrzymała głośne kontrakty od Departamentu Obrony Stanów Zjednoczonych na chipy klasy wojskowej i Amazon Web Services Amazon Web Services jako klienta dla Intel 18A. Powinno to zapewnić Intelowi bardzo potrzebny zastrzyk gotówki, aby utrzymać się na powierzchni w najbliższej przyszłości.

Pomimo porażki na platformie desktopowej, Intel całkiem nieźle poradził sobie z Lunar Lake, a laptop Arrow Lake zapowiada się równie konkurencyjnie. W przyszłym roku pojawi się Panther Lake ma potencjał, aby podjąć walkę z Apple w zakresie wydajności na wat dzięki ulepszeniom 18A, takim jak RibbonFET i dostarczanie mocy z tyłu.