Patent na tańsze podświetlanie micro LED
Zespół z Uniwersytetu Tajwańskiego opracował nową metodę wytwarzania diod micro LED z użyciem GaN (Gallium Nitride, czyli azotek galu). Co więcej, zawiązana została już spółka, która zajmie się komercjalizacją tego procesu produkcyjnego (w tym niezbędnych maszyn).
Sprowadzając tę sprawę do terminów zrozumiałych dla każdego: chodzi o to, że udało się obniżyć temperaturę potrzebną do wytworzenia wafli z diodami micro LED z 1000°C do 500-700°C. To zaś ma bezpośrednie przełożenie na ponoszone koszty (dużo niższe rachunki za energię). Jednocześnie pominięto długotrwały i kosztowny etap procesu produkcyjnego o nazwie mass transfer.
Tytułowa technologia może posłużyć m.in. do produkcji wyświetlaczy z podświetlaniem micro LED o przekątnej 1,8" (do stosowania m.in. w inteligentnych zegarkach).
Źródło: DigiTimes
