Podejście obliczeniowe Samsunga wyzerowało 18 materiałów chalkogenidowych dla pamięci SOM nowej generacji

Dzięki sprytnemu podejściu, Samsung rozwija technologię Selector-Only Memory (SOM)firma Samsung wykorzystuje zaawansowane modelowanie obliczeniowe, aby wyselekcjonować najlepsze materiały chalkogenidowe dla pamięci nowej generacji. Ich zespół badawczy przeanalizował ponad 4000 różnych kombinacji materiałów i zawęził je do 18, które wydają się obiecujące dla rzeczywistych testów.

Technologia SOM może być ogromnym krokiem naprzód w projektowaniu pamięci, łącząc to, co najlepsze z obu światów: ma nieulotne zalety pamięci flash, zachowując jednocześnie szybkość pamięci DRAM. Wykorzystuje ona materiały chalkogenidowe do działania zarówno jako komórki pamięci, jak i selektory, eliminując potrzebę stosowania oddzielnych tranzystorów, które można znaleźć w bardziej powszechnych konfiguracjach pamięci RAM z przemianą fazową lub rezystancyjnych.

Zespół wykorzystał złożone symulacje do zbadania właściwości wiązania, stabilności materiałów pod wpływem ciepła i ich zachowania elektrycznego. Skupiono się na takich kwestiach jak to, jak bardzo zmienia się napięcie progowe i jak stabilne jest okno pamięci, co zasadniczo oznacza, jak dobrze utrzymuje ono stany włączenia i wyłączenia różniące się od siebie.

Samsung ma zaprezentować te odkrycia podczas International Electron Devices Meeting w San Francisco w grudniu tego roku. Uważają oni, że to podejście obliczeniowe mogło doprowadzić ich do materiałów o wysokiej wydajności, które mogły zostać pominięte w tradycyjnych testach laboratoryjnych.

Wszystko to opiera się na wcześniejszych pracach Samsunga na IEDM 2023, gdzie zaprezentowali 64-gigabitowy układ SOM oparty na OTS z maleńkimi komórkami pamięci 16 nm.