ReRAM zastąpi NAND?
Układy scalone RRAM, tak jak NAND, mogą być stosowane np. w dyskach SSD lub eMMC. Ze względu na różnicę w sposobie działania taki nośnik wymaga o wiele mniejszego kontrolera.
W RRAM nie trzeba choćby opróżniać pojedynczej komórki pamięci przed jej zaprogramowaniem. Proces ten wymaga też o wiele mniej energii. Konkretnie 64 pikodżuli (piko to jedna bilionowa) w przypadku RRAM wobec 1360 pikodżuli w przypadku NAND. RRAM, podobnie jak MLC NAND, mieści dwa bity na komórkę. Możliwe jest stosowanie warstw 3D.
Produkcja RRAM odbywa w procesie technologicznym CMOS i od strony fizycznych ograniczeń możliwa jest aż po 5 nm. Pamięci NAND nie da się zaś wytwarzać w litografii poniżej 10 nm. Obecnie Samsung V-NAND (3D NAND) powstaje w procesie 40 nm.
W komputerze z nośnikiem opartym o pamięci RRAM nie będzie odczuwalny znaczy przyrost wydajności względem SSD na PCIe wykorzystującego protokół NVMe. Można natomiast liczyć na lepsze czasy reakcji przy mniejszych opóźnieniach.
Krótkie serie produktów wykorzystujących RRAM będą dostępne jeszcze w tym roku.
Źródło: ExtremeTech
