SK Hynix: 1Ynm 8 Gb DDR4 DRAM
Koreańczycy z SK hynix przygotowali technikę umożliwiającą wytwarzanie pamięci DDR4 DRAM 8 Gb w procesie 1Ynm. Na tle wcześniejszej generacji, produkowanej w procesie 1Xnm, efektywność wzrosła o 20% (więcej pamięci z jednego krzemowego wafla) a pobór mocy zbito o 15% (czuwa nad tym technologia o nazwie Sense Amp. Control). Nowa generacja DDR4 ma przepustowość 3200 MB/s.
Proces technologiczny 1Ynm zostanie w następnej kolejności wykorzystany na potrzeby rynku pamięci dla serwerów. Jeszcze później będzie dostosowany na potrzeby niskonapięciowej pamięci stosowanej w smartfonach i tabletach.
Produkcja seryjna tytułowej pamięci operacyjnej ruszy w pierwszym kwartale 2019 roku.
Źródło: TechPowerUp
