Notebookcheck Logo

SK hynix: 3D NAND 96 warstw, QLC NAND i UFS 3.0

3D NAND 96 warstw w Chinach
3D NAND 96 warstw w Chinach
Koreańska firma SK hynix wyjawiła plany na przyszłość a także podała, co ma dostępne od ręki.

Firma SK hynix uruchomiła produkcję seryjną pamięci 3D NAND 512 Gb złożonej z 96 warstw (dobry miernik zaawansowania technicznego), co za jakiś czas zostanie poparte dyskiem SSD o pojemności 1 TB. O tym już pisałem przy okazji przypominania o 4D NAND.

Nie było jednak wiadomo o tym, że rozważana jest produkcja pamięci UFS 3.0 (1H 2019; 96L 512 Gb 3D TLC NAND). Może ona zastąpić powszechnie stosowaną pamięć typu eMMC (w zasadzie jest to przylutowana karta SD). UFS 3.0 będzie można spotkać w smartfonach z wyższej półki.

Pewne jest natomiast to, że po 3D TLC NAND ruszą prace przy 3D QLC NAND (96 warstw, 1 Tb). Ma to nastąpić w 2019 roku.

Źródło: AnandTech

» skomentuj na forum «

Please share our article, every link counts!
Mail Logo
> laptopy testy i recenzje notebooki > Nowinki > Archiwum v2 > Archiwum 2018 11 > SK hynix: 3D NAND 96 warstw, QLC NAND i UFS 3.0
Sylwester Cyba, 2018-11- 9 (Update: 2018-11- 9)