SK hynix: 3D NAND 96 warstw, QLC NAND i UFS 3.0
Firma SK hynix uruchomiła produkcję seryjną pamięci 3D NAND 512 Gb złożonej z 96 warstw (dobry miernik zaawansowania technicznego), co za jakiś czas zostanie poparte dyskiem SSD o pojemności 1 TB. O tym już pisałem przy okazji przypominania o 4D NAND.
Nie było jednak wiadomo o tym, że rozważana jest produkcja pamięci UFS 3.0 (1H 2019; 96L 512 Gb 3D TLC NAND). Może ona zastąpić powszechnie stosowaną pamięć typu eMMC (w zasadzie jest to przylutowana karta SD). UFS 3.0 będzie można spotkać w smartfonach z wyższej półki.
Pewne jest natomiast to, że po 3D TLC NAND ruszą prace przy 3D QLC NAND (96 warstw, 1 Tb). Ma to nastąpić w 2019 roku.
Źródło: AnandTech