SK hynix: 4D NAND w 2019
Pomysł jest prosty a niesie za sobą bardzo obiecujące rezultaty. Chodzi mianowicie o wsunięcie stopki CTF (charge-trap flash), która obecnie jest wytwarzana obok piętrowo układanej pamięci 3D NAND pod nią (3D plus stopka w jednym pionie, czyli w rezultacie 4D). W efekcie uzyskuje się obniżenie kosztów, lepszą ogólną wydajność a przede wszystkim skokową poprawę przepustowości przypadającej na pobraną moc (energooszczędność).
Tak jak napisałem we wstępie, produkcja krótkich serii jest zaplanowana na koniec 2018 roku (wyjście z laboratorium na linię produkcyjną). Produkcji seryjnej (wyeliminowania błędów wieku dziecięcego i dopracowania procesu) należy spodziewać się w roku 2019. Wtedy jeden blok pamięci 4D NAND ma mieć pojemność 1 Tb. Wcześniej, zapewne już od końca 2018, na linii produkcyjnej będą wytwarzane moduły pamięci o pojemności 512 Gb (96 warstw, 4D TLC; 4D QLC możliwe do implementacji w oparciu o ten sam proces technologiczny).
Źródło: TechPowerUp
