SK hynix: pamięć 1z nm 16 Gb DDR4
W firmie SK hynix opracowano pamięć DDR4 DRAM o pojemności 16 Gb (3200 Mb/s, niższe zapotrzebowanie na moc) wytwarzaną w procesie 1z nm. Do produkcji seryjnej zostanie skierowana w 2020 roku.
Technika jak wyżej (proces 1z nm) nie wymaga stosowania litografii EUV (extreme ultraviolet) i jest o ok. 27% efektywniejsza od poprzedniej metody (proces znany jako 1y nm).
W przyszłości proces 1z nm może zostać wykorzystany na potrzeby wytwarzania pamięci LPDDR5 i HBM3.
Źródło: DigiTimes
