SK hynix: pamięć HBM2E DRAM w 2020
Pierwsze, co należy podkreślić, to to, że mimo podobnego nazewnictwa pamięć HBM2 i HBM2E to nie jedno i to samo. Ta tytułowa (HBM2E DRAM) ma o ok. 50% większą przepustowość od tego, co oferuje HBM2, a inne parametry są lepsze nawet o 100% (upakowanie bloków pamięci na jednej płytce PCB).
Pamięć SK hynix HBM2E oferuje przepustowość na poziomie 460 GB/s (3,6 Gb/s na jeden styk). Za sprawą techniki określanej mianem TSV (through-silicon via) osiągnięto możliwość upakowania aż ośmiu czipów 16-gigabitowych, co daje w sumie 16 GB (jedna pamięć typu DRAM).
Tytułowa pamięć znajdzie zastosowanie m.in. w wydajnych kartach grafiki.
Produkcja seryjna pamięci SK hynix HBM2E ma ruszyć w 2020 roku.
Źródło: DigiTimes
