Samsung: DDR4 1z nm w 2019
W tytułowym obwieszczeniu chodzi o opracowanie pamięci DDR4 (w modułach po 8 Gb) 3. generacji, określanej mianem 1z nm (litografia klasy 10 nm). Druga generacja DDR4 (1y nm, litografia klasy 10 nm; też bloki pamięci po 8 Gb) była ogłoszona zaledwie 16 miesięcy temu i - co więcej - chodziło o produkcję seryjną.
Różnica między pamięcią DDR4 DRAM 1z nm a 1y nm jest odczuwalna po stronie producenta - efektywność produkcji tej pierwszej jest wyższa o 20% (niższy koszt jednostkowy daje więcej zarobić, albo pozwala obniżyć cenę dla klienta końcowego).
Wspomniana wyżej pamięć DDR4 1z nm 8 Gb (zwykle kilka takich kości można znaleźć na gotowej do kupienia pamięci RAM) będzie produkowana seryjnie w drugiej połowie 2019 roku. Wariant przeznaczony na potrzeby serwerów ma być ogłoszony w 2020 roku.
Źródło: DigiTimes
