Samsung: DDR4 DRAM 10 nm
Wcześniej, w roku 2014, Samsung debiutował z produkcją pamięci DDR3 DRAM wytwarzanych w litografii 20 nm. Mowa o pamięci operacyjnej montowanej w komputerach stacjonarnych, w serwerach i w laptopach.
Taką pamięć DDR4 10 nm cechuje transfer danych z prędkością 3200 Mb/s, podczas gdy pamięć DDR4 20 nm pozwala na transfer danych z prędkością 2400 Mb/s. Jednocześnie zapotrzebowanie na energię jest niższe o 10-20%.
Korzystne jest to także z punktu widzenia czysto ekonomicznego. Z jednego krzemowego wafla powstaje o ponad 30% więcej bloków pamięci DDR4 DRAM o pojemności 8 Gb.
Z czasem pojawi się także wariant tej pamięci do stosowania w smartfonach.
Pamięci SO-DIMM przeznaczone do montażu w laptopach pojawią się na rynku już w 2016 roku.
Źródło: TechPowerUp
