Samsung HBM2 24 GB
Postępy technologii związanej z wytwarzaniem pamięci DRAM nie są tak spektakularne, jak te odnoszące się do modułów NAND (za ich sprawą dyski SSD są nośnikami danych). Jednak zasady działające w obu dziedzinach (DRAM i NAND) są te same. W związku z tym warto wiedzieć, że firma Samsung potrafi już dostarczać pamięć HBM2 24 GB składającą się z 12 warstw 3D.
Ze wspomnianą wyżej sztuczką techniczną jest związana technologia DRAM KGSD (known good stack die), która w praktyce oznacza 60 tys. otworów 3D TSV (through-silicon via). Z przekazu koreańskiego producenta (Samsung) wynika, że to spore wyzwanie, by wszystko poszło tak, jak zaplanowano (z punktu widzenia produkcji seryjnej, gdzie łatwo o wadliwe produkty szybko schodzące z linii montażowej).
Tytułowa pamięć z czasem pokaże się w takich produktach, jak karty grafiki, czy też będzie wsparciem dla układów scalonych typu FPGA. Będzie można spotkać modele z 48 GB lub 96 GB pamięci HBM2 z magistralą 2048 bitów lub 4096 bitów. O ile to za dużo, istnieje możliwość ograniczenia dostępnej pamięci do 12 GB lub 6 GB.
Źródło: AnandTech
