Samsung SSD 850 EVO
Dyski o pojemności 120/250/500 GB zostały wyposażone w kontroler Samsung MGX, a model o pojemności 1 TB ma kontroler Samsung MEX. Opierają się one o 32-warstwowe bloki pamięci 3D V-NAND.
Każdy z nich posiada pamięć podręczną DRAM - w modelu o pojemności 120 GB jest jej 256 MB, w modelach 256/500 GB - 512 MB, a najpojemniejszy (1 TB) ma do dyspozycji 1 GB pamięci LPDDR2.
Odczyt sekwencyjny ma wynosić maksymalnie 540 MB/s, a zapis - 520 MB/s.
Losowy odczyt (operacje wejścia/wyjścia na sekundę) wg danych dostarczonych przez Samsunga ma sięgać 98000 IOPS (w modelach o pojemności 500 GB i 1 TB), 97000 IOPS (w dysku 250 GB) i 94000 IOPS (w dysku 120 GB). Analogiczny zapis nie będzie wyższy niż 90000 IOPS (dla dysków o pojemności 500 GB i 1 TB) i 88000 IOPS (w modelach o pojemności 120 i 250 GB).
Wskaźnik MTBF (ang. Mean Time Between Failures) został ustalony przez producenta na 1,5 mln godzin, a wskaźnik TBW (ang. Terabytes Written) na 75 (w dyskach o pojemności 120 i 250 GB) i 150 (w modelach o pojemności 500 GB i 1 TB).
Obsługiwane są funkcje TRIM i S.M.A.R.T. Możliwe jest zaszyfrowanie całego dysku przy pomocy 256-bitowego standardu AES (FDE) lub TCG/Opal V2.0 (IEEE1667).
Pobór mocy w czasie pracy wynosi średnio 3,7 W (odczyt, model 1 TB) i 4,4 W (zapis, model 1 TB). W stanie spoczynku jest to 50 mW, a w trybie uśpienia - 2 mW (120/250/500 GB) i 4 mW (w modelu o pojemności 1 TB).
Najcięższy z nich, model o pojemności 1 TB, waży 66 g. Gabaryty obudowy wynoszą 100 x 69,85 x 6,8 mm.
Dyski Samsung SSD 850 EVO są objęte pięcioletnią gwarancją producenta.
Źródło: Samsung
