Samsung V-NAND 5. generacji
Ruszyła produkcja seryjna pamięci V-NAND 5. generacji. W praktyce oznacza to, że w ciągu kolejnych miesięcy trafi ona do ogólnodostępnych produktów, jak dyski SSD czy smartfony.
Od strony technicznej jest to blok pamięci o pojemności 256 Gb, który posiada przepustowość 1,4 Gb/s (o 40% lepszy wynik na tle V-NAND złożonego z 64 warstw). W dysku SSD montuje się zwykle po kilka takich modułów.
Jednocześnie nowsza pamięć V-NAND jest bardziej energooszczędna - pracuje pod napięciem 1,2 V wobec wcześniejszych 1,8 V.
Dodatkowo poinformowano, że w przygotowaniu jest pamięć QLC (quad-level cell) wytwarzana w blokach po 1 Tb każdy.
Źródło: TechPowerUp
