Samsung eUFS 3.0 512 GB
Potwierdzono, że ruszyła produkcja seryjna pamięci eUFS (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 512 GB (opera się o V-NAND w blokach po 512 Gb). Warto dodać, że do tej pory można było spotkać nośnik pamięci eUFS, ale w wydaniu 2.1 (o połowę wolniejszy; eUFS 2.0 z 2015 roku jest o 1,4x szybsze od eMMC 5.1). Później, bliżej końca 2019 roku, pojawi się wariant pamięci eUFS o pojemności 1 TB.
Doprecyzuję, że eUFS 3.0 osiąga 2100 MB/s przy odczycie danych (w przypadku kart pamięci podaje się precyzyjnie tylko odczyt a zapis podaje orientacyjnie). Wydajność mierzona IOPS (operacjami wejścia wyjścia na sekundę) ma sięgać 63000 IOPS (odczyt) i 68000 (zapis). Klasyczna karta microSD osiąga ok. 100 IOPS.
Koniecznie trzeba dodać, że tytułowa pamięć pojawi się także w laptopach.
Źródło: TechPowerUp
