Notebookcheck Logo

Samsung: litografia 3 nm w 2021

Firma Samsung zapowiedziała swoją aktywność w obszarze wytwarzania w litografii 3 nm.

Przedstawiciele firmy Samsung mają w planach na rok 2021 uruchomienie produkcji seryjnej wykorzystującej litografię 3 nm GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors). Tak wytwarzane układy scalone mają być bardziej przestrzenne, czyli wykorzystywać efekt 3D, a przede wszystkim będą bardziej energooszczędne.

Wcześniej zapowiadano litografię 4 nm GAAFET na rok 2020 a litografia 7 nm EUV ma wejść do produkcji seryjnej jeszcze w tym roku (2019).

Źródło: OC3D

Powiązane artykuły

  1. Samsung: litografie 6 nm, 5 nm i 4 nm Nowinka @ 01/08/2019
  2. IBM i Samsung: litografia 7 nm Nowinka @ 21/12/2018
  3. TSMC: nowe fabryki zajmą się litografią 3 nm i 5 nm Nowinka @ 21/12/2018
  4. Samsung: rusza litografia 7 nm Nowinka @ 18/10/2018
  5. Samsung: litografia 4 nm w 2020 roku Nowinka @ 26/05/2017
  6. TSMC: litografia 5 i 3 nm na horyzoncie Nowinka @ 10/12/2016

» skomentuj na forum «

Please share our article, every link counts!
Mail Logo
> laptopy testy i recenzje notebooki > Nowinki > Archiwum v2 > Archiwum 2019 01 > Samsung: litografia 3 nm w 2021
Sylwester Cyba, 2019-01-12 (Update: 2019-01-12)