Samsung prezentuje pierwszą w branży pamięć DDR5 DRAM klasy 12 nm o prędkości do 7,2 Gbps
W marcu Samsung zaprezentował rozwiązanie LPDDR5X DRAM o prędkości 7,5 Gbps, ale tylko po to, by we wrześniu przesunąć poprzeczkę wyżej, prezentując najszybszy w branży układ LPDDR5X DRAM. O ile ustanowiony wtedy rekord 8,5 Gbps nie został pobity przez dzisiejsze nowe rozwiązanie, to zapowiadana przez Samsunga prędkość 7,2 Gbps dla nowych układów nie jest niczym wstydliwym. Ponieważ pierwszy w branży układ klasy 12 nm pochodzi z najwyższej jak dotąd gęstości matrycy, wydajność wafla wzrosła o 20%.
Według Jooyoung Lee, wiceprezesa wykonawczego ds. produktów i technologii DRAM w Samsung Electronics, DRAM klasy 12 nm "będzie kluczowym czynnikiem umożliwiającym przyjęcie na całym rynku pamięci DDR5 DRAM". Ponadto oczekuje się, że technologia ta "posłuży jako podstawa bardziej zrównoważonych działań w takich obszarach, jak obliczenia następnej generacji, centra danych i systemy napędzane przez AI", zapewniając najwyższą wydajność i efektywność energetyczną.
Choć masowa produkcja ma rozpocząć się w 2023 roku, to Samsung już teraz ogłosił zakończenie ważnego etapu, który poprzedza wprowadzenie na rynek produktów opartych na 12 nm DDR5, a mianowicie oceny pod kątem kompatybilności z platformami AMD Zen. Oprócz wspomnianego wcześniej wzrostu produktywności wafli, DRAM klasy 12 nm cechuje się również lepszą wydajnością. Według Samsunga, rozwiązanie to zużywa do 23% mniej energii niż poprzednia generacja.
Samsung nie ujawnił dokładnego terminu, ale bazując na dotychczas ujawnionych informacjach, jest bardzo prawdopodobne, że pierwsze produkty DRAM klasy 12 nm trafią na rynek w połowie 2023 roku.
Źródło(-a)
