Toshiba: nowa fabryka i centrum badań i rozwoju
Zdecydowano się na sprawdzone miejsce, czyli miasto Yokkaichi (prefektura Mie, wyspa Honsiu, Japonia). Powstaną tam zakład Fab 6 (produkcja w technologii BiCS Flash) oraz Memory R&D Center (po polsku centrum badań i rozwoju nad pamięcią flash, czyli praca nad następcą technologii BiCS 3 i szerzej półprzewodniki).
Podobnie do sprawdzonego przy okazji Fab 5 modelu biznesowego, proces inwestycyjny ma zostać podzielony na dwie fazy. Pierwsza z nich ma zostać zrealizowana do lata 2018 roku a jeśli będzie odpowiednio wysokie zapotrzebowanie na pamięć NAND, ruszy faza druga.
Centrum badań i rozwoju ma ruszyć wcześniej i to już w grudniu 2017 roku.
Źródło: TechPowerUp
